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三安光电计划在长沙投资160亿元兴建半导体项目

发布日期:2020-06-21 来源: 互联网


国内LED芯片龙头企业——三安光电(600703)再现大手笔半导体项目投资,这一次,落子长沙。6月16日晚间,三安光电(600703)对外发布公告称,公司计划以现金投资160亿元,在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

据悉,三安光电决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,投资总额达到160亿元。

据公告表述,该项目主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4英寸半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。对于此次投资,三安光电方面认为:“第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求,现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划,符合公司产业发展方向和发展战略,有利于提升公司行业地位及核心竞争力。”

最新进展显示,6月15日,三安光电已与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》。根据计划,三安光电将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产,48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产,72个月内实现达产。

目前,全球化合物半导体集成电路市场主要被欧美传统大厂占据,国内正处于起步阶段,国家出台一系列政策大力支持集成电路产业发展。在当前大环境下,国内大型下游厂商为提升自身半导体供应链的安全性与稳定性,积极谋求与国内半导体厂商的合作。在政策鼓励、进口替代需求日益增长、下游行业需求增加的背景下,未来国内厂商将进一步提升市场渗透率。

6月17日,长江证券在一份研究报告中分析,化合物半导体较硅器件具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质,在电子迁移率、禁带宽度、功耗等指标上表现更优,其中SiC 比硅器件具备更高的热导率和更成熟的技术,在功率等级相同的条件下,采用SiC 器件可将电体积缩小化,满足功率密度更高、设计更紧凑的需求,在5G 通信、电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎,未来对硅器件具备较强的替代潜力。

据Yole 预计,到2024 年SiC 功率器件的市场空间将达到19.3 亿美金,对应2018-2024 年复合增速达到29%。公司投资160 亿元用于第三代化合物半导体长晶-衬底制作-外延生长-芯片制备-封装的产业链布局,体现了公司深厚的技术积淀,展现了公司雄厚的技术实力,未来公司将在成本持续降低的推动下扩大SiC 行业空间。

长江证券进一步分析,三安光电LED 主营业务稳健,结构升级成高增引擎。LED 价格止跌企稳,公司LED 主业经营稳健度持续提升,库存压力逐步降低;Mini-LED 等新型显示将在下游顶尖品牌商的引领下逐步加速渗透,未来各类应用前景广阔。随着产品结构升级调整,高端产品如Mini LED、紫外、红外等应用不断成熟,未来有望将成为公司业绩持续高速增长的重要驱动引擎。

长江证券认为,本次三安光电推进化合物半导体项目,预期将成为公司新增长极,预计公司2020-2022 年EPS 为0.52、0.79 和1.02 元,维持“买入”评级。


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